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VBQF4338 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQF4338是一款双P+P型功率MOSFET,采用了Trench技术,具有优秀的导通特性和稳定性。其封装为DFN8(3X3)-B,适用于需要高效功率控制的电路和模块。

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产品参数:

**VBsemi VBQF4338 双P+P型功率MOSFET**

**参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** VBQF4338
- **封装:** DFN8(3X3)-B
- **Dual P+P:** 双P+P型
- **最大漏极-源极电压(VDS):** -30V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -1.7V
- **栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻(mΩ):** 60
- **栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):** 38
- **最大漏极电流(ID):** -6.4A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **电动车电池管理系统:** 电动车的电池管理系统需要可靠的功率开关器件来实现对电池的充放电控制。VBQF4338的双P+P型设计使其适用于电动车电池管理系统中的充放电控制模块,能够确保电池的安全充放电和长期稳定运行。

2. **太阳能逆变器:** 太阳能逆变器需要高效的功率开关器件来将太阳能板收集的直流电转换为交流电。VBQF4338适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,能够实现高效的电能转换和稳定的电力输出。

3. **工业电机驱动器:** 工业电机驱动器需要稳定可靠的功率开关器件来控制电机的启停和转速调节。VBQF4338的双P+P型设计使其适用于工业电机驱动器中的功率开关控制器,能够实现精确的电机控制和高效的能量转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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