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VBQF3316G 产品详细

产品简介:

VBQF3316G是一款半桥 N+N 型MOSFET。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、28A的最大漏极电流(ID)和较高的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用Trench技术制造,封装DFN8(3X3)-C。

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产品参数:

产品型号: VBQF3316G
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 半桥 N+N 型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 30V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 22/45
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 16/40
- 漏极电流 (ID): 28A
- 技术: Trench
封装: DFN8(3X3)-C

领域和模块应用:

这款 VBQF3316G 产品适用于以下领域和模块:
1. 电机驱动: 由于其半桥结构和较高的漏极电流,可用于设计电机驱动模块,如电动汽车驱动器、电动自行车控制器和工业电机驱动器。
2. 逆变器: 适用于设计半桥逆变器模块,如太阳能逆变器和交流电力电子变频器,以将直流电转换为交流电或调节交流电的频率和电压。
3. 电源模块: 可用于设计半桥电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器,以实现高效率和稳定的电力转换。
4. 汽车电子: 适用于汽车电子领域,如车载充电器、电动车电池管理系统和车载动力系统,以提供可靠的电力控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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