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VBQF3316 产品详细

产品简介:

VBQF3316是一款双路N+N沟道MOSFET,适用于高性能功率控制和开关应用。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、26A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为DFN8(3X3)-B,可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

产品型号: VBQF3316
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 双路N+N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 20mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 16mΩ
- 最大漏极电流(ID): 26A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: DFN8(3X3)-B

领域和模块应用:


举例说明:
1. **电动工具模块**:VBQF3316可用于设计高功率的电动工具模块,如电钻、电锤和电动割草机等。其高漏极电流和低漏极电阻可提供足够的功率输出,满足电动工具在高负载和高速运行时的需求。

2. **直流-直流(DC-DC)转换模块**:在电源管理系统中,VBQF3316可用作高性能的DC-DC转换器模块的功率开关器件,实现不同电压之间的高效转换和调节。其稳定的特性和高功率密度使其成为电源管理系统中的重要组成部分。

3. **电池组管理模块**:在电动汽车和储能系统中,VBQF3316可用作电池组管理模块的功率开关器件,实现对电池组的充放电控制和保护。其高漏极电流和低漏极电阻可确保电池组的安全运行,延长电池组的使用寿命。

4. **LED照明模块**:在LED照明系统中,VBQF3316可用于设计高功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其稳定的特性和高功率密度使其成为LED照明系统中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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