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VBQF3101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQF3101M是一款双 N+N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种低功率功率转换和电源管理应用。尽管其漏极电流相对较低,但其特殊的封装和优秀的性能参数使其在特定领域中表现出色,能够实现可靠的功率开关和稳定的能量转换。

VBsemi的VBQF3101M适用于智能家居、便携式医疗设备、传感器接口和便携式消费电子产品等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

**参数:**
- 类型: 双 N+N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.8V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 71
- 最大漏极电流 (ID): 12.1A
- 技术: Trench
- 封装: DFN8(3X3)-B

领域和模块应用:

**适用领域和模块:**
1. **智能家居控制模块:**
由于VBQF3101M具有较小的封装和适中的功率能力,因此非常适合用于设计智能家居控制模块。例如,智能灯光控制器、智能插座和智能窗帘等产品中的功率管理和电源控制模块。

2. **便携式医疗设备:**
在便携式医疗设备中,VBQF3101M可用于设计低功率的电源管理模块,如便携式血压计、血糖仪和心电图仪等。其小封装和低功率损耗使其能够实现长时间的电池续航和稳定的电源输出。

3. **传感器接口模块:**
在传感器接口模块中,VBQF3101M可用于实现低功率的传感器接口和信号处理。其优异的性能和可靠性保证了传感器数据的准确采集和稳定传输,适用于各种传感器应用。

4. **便携式消费电子产品:**
在便携式消费电子产品中,如智能手表、智能耳机和便携式音响等,VBQF3101M可用于设计低功率的功率管理和电源控制模块。其小封装和高效能转换使其能够实现长时间的电池续航和稳定的性能输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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