VBQF2317 - VBsemi MOS管制造商

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VBQG2317是VBsemi品牌生产的单路P型场效应晶体管，采用沟道工艺技术制造。具有优异的性能参数和封装形式，适用于多种电路应用。

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产品参数：

**VBQG2317**

**品牌：** VBsemi
**参数：**
- **Single P:** 单路P型场效应晶体管
- **VDS(V):** 集电-源极电压：-30V
- **VGS(±V):** 栅源极电压范围：±20V
- **Vth(V):** 阈值电压：-1.7V
- **VGS=4.5V(mΩ):** 栅源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻：20mΩ
- **VGS=10V(mΩ):** 栅源极电压为10V时的漏极-源极电阻：17mΩ
- **ID (A):** 漏极电流：-10A
- **Technology：** 沟道工艺
- **封装：** DFN6(2X2)

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **电池管理模块：** VBQG2317可用于电池管理模块中的电池过充和过放保护电路。其低漏极-源极电阻和适中的漏极电流使其能够有效地控制电池的充放电过程，延长电池的使用寿命。

2. **低功耗电子设备：** 在低功耗电子设备中，VBQG2317可用于功率管理电路和开关电源模块。其低阈值电压和低漏极-源极电阻使其能够实现高效的电源转换，降低设备的能耗和热量产生。

3. **医疗器械控制模块：** 在医疗器械控制模块中，VBQG2317可用于控制医疗设备的功率开关和驱动电路。其稳定的性能和高漏极电流使其能够可靠地驱动各种医疗器械，确保医疗设备的安全和稳定运行。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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