VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），Single P系列MOSFET是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为17mΩ，在VGS=10V时为9mΩ，最大漏极电流（ID）为-30A。这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为DFN8（3X3）。