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VBQF2228 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQF2228是一款单P沟道场效应晶体管(FET),适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 额定漏极-源极电压(VDS):-20V
- 门极-源极电压(VGS):±12V
- 阈值电压(Vth):-0.8V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):29
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):21
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):20
- 最大漏极电流(ID):-12A
- 技术:Trench
- 封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:

VBQF2228适用于多种领域和模块,例如:

在电源管理模块中,VBQF2228可以用作低功耗开关电源中的功率开关器件。其较小的漏极电流和低功耗特性,适用于对电源管理要求较高、功耗较低的场合。

在信号放大模块中,VBQF2228可以用于信号放大电路中的功率放大器。其较大的漏极-源极电阻和低功耗特性,使其能够提供稳定的信号放大,并且具有较低的静态功耗。

在电源逆变器模块中,VBQF2228可以用作逆变器电路中的开关管。其较小的漏极电流和低功耗特性,适用于对逆变器效率要求较高、功耗较低的场合。

在控制模块中,VBQF2228可以用于数字电路中的开关控制器。其快速的开关速度和低功耗特性,使其能够提供稳定的数字信号控制,并且具有较低的静态功耗。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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