此产品为单 N 型 MOSFET，适用于需要高性能开关的电路和模块

其主要参数包括：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为 30V；
- 最大栅极-源极电压（VGS）为正负 20V；
- 阈值电压（Vth）为 1.7V；
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 3mΩ；
- 当栅极-源极电压为 10V 时，导通电阻为 2mΩ；
- 最大漏极电流（ID）为 70A；
- 采用槽道（Trench）技术制造；
- 封装为 DFN8(3X3)。