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VBQF1302 产品详细

产品简介:

此产品为单 N 型 MOSFET,适用于需要高性能开关的电路和模块

其主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS)为 30V;
- 最大栅极-源极电压(VGS)为正负 20V;
- 阈值电压(Vth)为 1.7V;
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时,导通电阻(RDS(on))为 3mΩ;
- 当栅极-源极电压为 10V 时,导通电阻为 2mΩ;
- 最大漏极电流(ID)为 70A;
- 采用槽道(Trench)技术制造;
- 封装为 DFN8(3X3)。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):3
- RDS(on) VGS=10V(mΩ):2
- ID (A):70
- Technology:Trench
封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:

这款 MOSFET 适用于需要高性能开关的电路和模块,特别适用于以下领域和模块:
- 电源管理模块:由于其低导通电阻和高漏极-源极电压,适用于电源管理模块中的功率开关和电流调节器。
- 电动汽车控制模块:可用于电动汽车中的电机控制器、驱动器和电池管理系统。
- 工业自动化模块:在工业自动化系统中,可用于开关电源、电机控制和温度控制等模块。
- LED 照明模块:适用于 LED 照明中的电源开关、调光器和电流调节器等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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