MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBQF1252M 产品详细

产品简介:

VBQF1252M是一款单N沟道MOSFET,具有高达250V的额定漏极-源极电压和10.3A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3.5V的阈值电压以及125毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用Trench技术,封装为DFN8(3X3)。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 125
- 漏极电流(ID): 10.3A
- 技术: Trench
封装: DFN8(3X3)

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源管理模块: 由于VBQF1252M具有较高的额定电压和适中的漏极电流,适用于各种电源管理模块,如电池充电器和直流稳压器。在电池充电器中,它可以用作充电电路的功率开关器件,实现电池充电和电流保护功能。
2. LED驱动器: 该MOSFET可用于LED照明系统中的LED驱动器模块,实现LED灯的亮度调节和电流控制。其适中的额定电压和漏极电流使其成为LED驱动器中常见的功率开关器件。
3. 工业控制系统: 在工业控制系统中,VBQF1252M可用作工业电机控制模块的关键组件,如变频器和电机驱动器。其高额定电压和稳定的性能确保了工业控制系统的可靠运行和长期稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询