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VBQF1154N 产品详细

产品简介:

VBQF1154N是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高150V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为35mΩ,漏极电流(ID)额定为25.5A。采用Trench技术,具有稳定的性能和高效的特性。封装形式为DFN8(3X3),适用于紧凑的电路布局和高密度集成。

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产品参数:

产品型号:VBQF1154N
品牌:VBsemi
参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):35
- 漏极电流(ID):25.5A
- 技术:Trench
封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **移动设备电源管理模块:** VBQF1154N适用于移动设备的电源管理模块,如充电器和电池管理系统。其小封装和低功耗特性使其成为移动设备中的理想选择,能够实现高效的电能转换和管理。

2. **LED照明驱动模块:** 在LED照明应用中,VBQF1154N可用于驱动模块,如LED驱动器和LED灯控制器。其高电压和电流特性能够满足LED照明系统对电能转换和调光控制的需求,DFN8(3X3)封装形式适合于小型LED灯具的设计和布局。

3. **电动工具控制模块:** VBQF1154N适用于电动工具的控制模块,如电动钻、电动锯等。其稳定的性能和高效的特性能够满足电动工具对功率控制和效率的要求,DFN8(3X3)封装形式有助于紧凑的模块设计和高密度集成。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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