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VBQF1102N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQF1102N产品是一款单路 N 沟道场效应晶体管,适用于各种应用场景。具有高电压和电流容量,适用于多种领域和模块。

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产品参数:

产品型号: VBQF1102N
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 单路 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 17
- 最大漏极电流(ID): 35.5A
- 技术: 沟道
封装: DFN8(3X3)

领域和模块应用:

例1: 适用于电源管理模块
由于该晶体管具有较高的漏极-源极电压和漏极电流容量,适合用于电源管理模块中的开关电源电路或稳压电路。在这些模块中,它可以提供可靠的开关控制和稳定的电压输出,以满足各种电子设备的功率需求。

例2: 适用于电动汽车驱动器模块
对于电动汽车驱动器模块,需要高效的功率开关器件来控制电动机的速度和转向。VBQF1102N具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流容量,适合用作电动汽车驱动器模块中的功率开关器件。它能够提供高效的电力转换,并且在高电压和高电流条件下表现稳定,确保电动汽车的可靠性和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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