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VBQE165R20SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBQE165R20SE 是一款单N沟道场效应晶体管,采用 SJ_Deep-Trench 技术制造。具有优异的性能和可靠性,适用于各种电力电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBQE165R20SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 封装:DFN8X8
- VDS(耐压):650V
- VGS(门极源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:150mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 可再生能源系统:VBQE165R20SE 可以用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率开关模块,提高能源转换效率。
2. 工业电机驱动:适用于工业电机驱动器中的电源模块,实现工厂生产设备的高效稳定运行。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,该产品可以作为充电控制器的关键部件,实现快速充电和安全稳定的电力供应。
4. 医疗设备电源:用于医疗设备中的电源模块,保障医疗设备的可靠运行,提供安全的电力支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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