VBQE165R20S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi 的 VBQE165R20S 是一款单 N 型 MOSFET，具有 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门源极电压（VGS，正负），和 3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用 SJ_Multi-EPI 技术，并且封装为 DFN8X8。

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产品参数：

详细参数说明：

- 漏极-源极电压（VDS）: 650V
- 门源极电压（VGS，正负）: ±30V
- 阈值电压（Vth）: 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻（mΩ）: 160
- 最大漏极电流（ID）: 20A

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：

- 电源转换器：由于其高电压容忍度和低导通电阻，适用于电源转换器中的功率转换和电流控制，如服务器电源和工业电源。
- 汽车电子系统：可用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，例如电动汽车的电机驱动器和车载充电器。
- 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，可用作开关管以实现太阳能电池板与电网之间的功率转换和电流控制。
- 工业自动化设备：适用于工业自动化设备中的电源管理和功率控制，例如PLC、伺服驱动器等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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MOSFET

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