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VBQD5222U 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBQD5222U 是一款双 N+P 型 MOSFET,具有多功能性和高性能。采用了 Trench 技术,漏极-源极电压(VDS)为 ±20V,适用于各种应用场景。该产品封装为 DFN8(3X2)-B,具有良好的散热性和易于安装的特点。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBQD5222U
- 品牌:VBsemi
- 类型:双 N+P 型 MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):±20V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.0V/-1.2V
- 在 VGS=4.5V 时的漏极-源极电阻(mΩ):22/45
- 在 VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):18/40
- 最大漏极电流(ID):5.9A/-4A
- 技术:Trench
- 封装:DFN8(3X2)-B

领域和模块应用:

应用举例:
该产品适用于多种领域和模块,例如:
1. 电源管理:可用于各种电源管理模块中,如电源开关、稳压器等。
2. 电动工具:适用于电动工具中的电机控制和功率开关模块,提高工具的性能和效率。
3. 汽车电子:可用于汽车电子系统中的电源控制、驱动控制等模块,提高汽车的性能和安全性。
4. 工业自动化:适用于工业自动化系统中的电源控制、驱动控制等模块,提高生产效率和稳定性。

以上是该产品在不同领域和模块中的一些应用举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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