VBsemi的VBQD4290U是一款双路P+P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同领域和模块的应用需求。
具有以下参数：VDS（漏极-源极电压）为-20V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-0.8V。在VGS=4.5V时的导通电阻为108mΩ，在VGS=10V时为90mΩ，最大漏极电流（ID）为-4A（负数表示为P沟道器件）。
这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为DFN8(3X2)-B。