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AP2N7002K-VB 产品详细

产品简介:

一、AP2N7002K-VB产品简介

AP2N7002K-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,适用于低功率应用。它具有60V的漏极-源极电压(VDS),适合电路中需要控制低电压和低电流的场合。该器件采用先进的Trench技术,提供了较低的导通电阻和优异的开关特性。

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产品参数:

二、AP2N7002K-VB详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:20V(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块应用举例

AP2N7002K-VB由于其低功率和低压操作特性,适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **小功率电子开关**:在便携式电子设备和低功耗电路中,AP2N7002K-VB可以用作开关和控制元件,例如手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理电路。

2. **电源管理模块**:在需要稳定电压转换和低功耗的应用中,如电池供电设备和便携式电子产品,AP2N7002K-VB能够提供高效的电力管理和延长电池寿命。

3. **信号开关**:在信号处理和数据传输设备中,AP2N7002K-VB可以用于控制和调节信号传输路径,确保数据的稳定性和可靠性。

4. **LED驱动器**:作为低功率LED灯的驱动器,AP2N7002K-VB能够控制LED的亮度和电流,适用于照明和显示应用。

通过以上应用案例,可以看出AP2N7002K-VB在低功率、低压操作和小型电子设备中的优越性能和广泛适用性,使其成为现代电子设计中不可或缺的部分。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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