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VBQD3222U 产品详细

产品简介:

VBQD3222U是一款双 N 型 + N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。

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产品参数:

参数:
- 结构类型: 双 N 型 + N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±12V
- 阈值电压 (Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 28mΩ
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): 22mΩ
- 最大漏极电流 (ID): 6A
- 技术: Trench
封装: DFN8(3X2)-B

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. 电源管理模块:
在电源管理模块中,VBQD3222U可用作开关电源的关键部件,以实现高效率的功率转换和节能控制。其双 N 型和 N 型结构使其能够同时控制正负电压,提供更灵活的电源调节功能。

2. 电动车辆模块:
在电动车辆模块中,VBQD3222U可用于驱动电动车辆系统中的电机和电子控制单元。其高电压和电流能力使其能够承受电动车辆系统中的高功率负载,并确保系统的稳定性和安全性。

3. 工业控制模块:
在工业控制模块中,VBQD3222U可用于控制和驱动各种工业设备和自动化系统。其低漏极-源极导通电阻和高阈值电压使其能够在工业环境中提供可靠的性能和长期稳定性。

4. 智能家居模块:
在智能家居模块中,VBQD3222U可用于控制家庭智能设备和安全系统。其小封装和高性能使其成为智能家居系统中的理想选择,能够提供可靠的电源管理和控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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