产品参数：
具有以下参数和特性：
- **VDS(V)：** 最大漏极-源极电压为-100V，适用于中等电压的应用场景。
- **VGS(±V)：** 门源极电压范围为±20V，提供较大的控制范围。
- **Vth(V)：** 阈值电压为-2V，表示在此电压下开始导通。
- **VGS=4.5V(mΩ)：** 在门源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻为36mΩ。
- **VGS=10V(mΩ)：** 在门源极电压为10V时的漏极-源极电阻为32mΩ。
- **ID (A)：** 最大漏极电流为-28A，适用于较高电流的应用。
- **Technology：** 采用Trench工艺制造，具有良好的性能和稳定性。
- **封装：** 采用DFN8(5X6)封装，体积小巧，适用于紧凑空间的应用。
领域和模块应用：
该产品适用于多种领域和模块，例如：
在电源管理模块中，VBQA2104N可用作开关管，用于电源开关控制和功率管理，例如在电源逆变器、DC-DC转换器和LED驱动器中。
在汽车电子模块中，VBQA2104N可用于汽车电动机驱动器和控制器，用于电池管理系统和车载电子设备的电源开关控制。
在工业自动化领域，VBQA2104N可用于工业机器人、PLC控制器和变频器等设备中的功率开关控制，以实现精确的运动控制和能耗管理。
在通信设备模块中，VBQA2104N可用于通信基站的功率放大器和电源管理单元，以实现信号放大和稳定的电源供应。
综上所述，VBQA2104N作为一款功能强大、性能稳定的单P通道MOSFET，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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