VBFB165R05S是一款单极性 N 型功率场效应晶体管（MOSFET），具有以下特点：
- 额定电压高达650V，适用于高压应用场景。
- 门源电压范围广泛（±30V），具有良好的电压容忍性。
- 阈值电压较低（3.5V），有助于减少功率损耗。
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻为950mΩ，提供可靠的导通特性。
- 漏极电流为5A，适用于中低功率需求。
- 采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的热稳定性和可靠性。
- 封装为TO251，易于安装和散热。
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产品型号：VBFB165R05S
品牌：VBsemi
参数：
- 类型：单极性 N 型
- 额定电压（VDS）：650V
- 门源电压范围（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：950
- 漏极电流（ID）：5A
- 技术：SJ_Multi-EPI
封装：TO251
适用领域和模块示例：
1. 电源管理：可用于开发各种类型的电源管理模块，如电源开关、电源逆变器等。
2. 电动车电池管理系统：适用于电动车中的电池管理系统，实现对电池充放电的有效控制。
3. 工业控制设备：可用于工业自动化控制设备中的功率开关模块，提供可靠的电力输出。
4. 通信设备：适用于通信基站、网络设备等的电源管理模块，确保设备稳定运行。
5. LED照明控制：用于LED照明系统中的功率开关模块，实现对LED灯的精确控制和调节。
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