MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBQA1603 产品详细

产品简介:

VBQA1603是一款单路N沟道MOSFET,适用于中功率功率控制和开关应用。具有60V的最大漏极-源极电压(VDS)、100A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为DFN8(5X6),适用于中功率电子设备的功率开关和控制模块。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号: VBQA1603
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 60V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 5mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 3mΩ
- 最大漏极电流(ID): 100A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: DFN8(5X6)

领域和模块应用:


举例说明:
1. **电动汽车驱动模块**:VBQA1603可用于设计电动汽车的驱动系统中的功率开关器件,实现电动汽车的高效能耗管理和动力输出。其高漏极电流和低漏极电阻可提供足够的功率输出,满足电动汽车在高速行驶和爬坡时的功率需求。

2. **太阳能逆变器模块**:在太阳能发电系统中,VBQA1603可用作太阳能逆变器模块的关键元件,实现太阳能电能的转换和调节。其低漏极电阻和稳定的特性可提高逆变器的转换效率和稳定性。

3. **工业电源模块**:在工业电源系统中,VBQA1603可用于设计中功率的工业电源模块,如电源开关和稳压器等。其稳定的特性和高功率输出可确保工业设备的稳定供电,提高设备的运行效率和可靠性。

4. **LED驱动模块**:在中功率LED照明系统中,VBQA1603可用于设计LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其稳定的特性和中等功率输出使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询