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VBQA125N5K 产品详细

产品简介:

VBQA125N5K是一款单N沟道MOSFET,具有250V的额定漏极-源极电压和0.5A的额定漏极电流。采用DFN8(5x6)封装形式,适用于低功率电力和电子应用,具有小尺寸、低功耗等特点。

VBQA125N5K适用于电源管理模块、移动设备模块和电子传感器模块等低功率电力和电子应用,为这些领域提供小尺寸、低功耗的功率开关功能,推动低功率应用领域的发展和应用。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 250V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 1500mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 0.5A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: DFN8(5x6)

领域和模块应用:

示例应用:
1. **电源管理模块**:
VBQA125N5K适用于低功率电源管理模块中的稳压器和开关电源。其小尺寸和低功耗特性,使其适用于便携式设备、智能家居和传感器等低功率电子产品。

2. **移动设备模块**:
在移动设备模块中,VBQA125N5K可用作电池管理模块中的功率开关元件。其小尺寸和低功耗特性,适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等移动设备的电源管理模块。

3. **电子传感器模块**:
在电子传感器模块中,VBQA125N5K可用作传感器控制电路中的功率开关。其小尺寸和低功耗特性,适用于各种环境监测传感器、智能家居传感器和工业自动化传感器等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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