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VBQA1152N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBQA1152N是一款单极N型MOSFET,具有150V的最大漏极-源极电压和53.7A的最大漏极电流。其采用沟槽型结构(Trench)设计,有利于降低导通时的电阻,提高了开关速度和功率密度。阈值电压为3V,且在10V的栅极电压下,具有约16mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

VBsemi VBQA1152N在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。

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产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):16
- 最大漏极电流(ID):53.7A
- 技术:Trench(沟槽型结构)
- 封装:DFN8(5X6)

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **轻型电动车控制器:** VBsemi VBQA1152N适用于轻型电动车的控制器模块中,可用作功率开关器件,用于控制电机的启停和速度调节,提供高效、可靠的动力输出。

2. **智能家居设备:** 在智能家居设备中,VBsemi VBQA1152N可用作电源开关器件,用于控制家电设备的电源供应,提供高效的电力管理功能。

3. **医疗设备模块:** 由于VBsemi VBQA1152N具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于医疗设备模块中的电源控制和功率调节等功能,确保医疗设备的稳定运行。

4. **LED照明驱动器:** 在LED照明驱动器中,VBsemi VBQA1152N可用作功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和灯光效果,提供高效的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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