MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBQA1102N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQA1102N是一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种高性能功率电子应用。其主要特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和可靠性的电源和驱动器应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**产品型号:** VBQA1102N
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 17mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 30A
- **技术:** Trench
- **封装:** DFN8(5X6)

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **电源模块:**
VBQA1102N可应用于开关电源模块中的主开关,用于转换电源的直流电压。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持大功率转换,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于提高转换效率和减小功耗。

2. **马达驱动模块:**
在工业控制和自动化系统中,VBQA1102N可用作马达驱动模块中的功率开关,用于控制和驱动各种类型的电动马达。其高电压和电流能力能够有效驱动大功率马达,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于降低开关损耗和提高系统效率。

3. **LED照明控制模块:**
作为LED照明控制模块中的开关器件,VBQA1102N能够提供稳定可靠的功率控制,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。其高漏极-源极电压和低阈值电压特性使其适合用于各种类型的LED驱动器,从小型家庭照明到商业和工业照明应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询