VBsemi的VBQA1101N是一款Single N型场效应晶体管（FET），具有以下关键参数：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为100V，适用于中等电压的应用。
- 最大门极-源极电压（VGS）为正负20V，具有较高的电压容忍度。
- 门极阈值电压（Vth）为2.5V，表明该器件具有较低的门控电压。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为12mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为9mΩ，表现出较低的导通电阻。
- 最大漏极电流（ID）为65A，具有适中的电流承受能力。
- 采用Trench技术，具有良好的性能和可靠性。
- 封装为DFN8(5X6)，小型封装适合于高密度表面贴装应用。

VBQA1101N适用于各种需要中等电压、适中电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。