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VBPB19R20S 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBPB19R20S 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO3P。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 900V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.5V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=10V 时,导通电阻为 270mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 20A,适用于中高功率的应用场合。

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产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBPB19R20S
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P
- 额定漏极-源极电压(VDS):900V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.5V
- VGS=10V 时导通电阻:270mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A

领域和模块应用:




适用领域和模块举例:

1. 高端电源模块:VBPB19R20S 可应用于高端电源模块中,如高频开关电源、UPS 系统等,用于工业和通信设备的电力供应和保护。
2. 高功率电动汽车驱动系统:在电动汽车和混合动力汽车的驱动系统中,该型号的 MOSFET 可用于电机驱动器、电池管理系统等模块,实现高效能、高性能的电动车驱动。
3. 工业照明灯具:VBPB19R20S 可用作工业照明灯具中的功率开关元件,实现高亮度、高效能的工业照明系统。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,该型号的 MOSFET 可用于逆变器模块中,帮助将太阳能电能转换为交流电能,并实现电网连接。
5. 高性能电源管理器件:VBPB19R20S 可用于高性能电源管理器件中,如电源开关、稳压器等,用于电子设备和通信设备的电源管理和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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