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VBPB19R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBPB19R15S是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO3P。该产品具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于高功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBPB19R15S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):420
- 最大漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:





适用领域和模块示例:
1. 工业高功率电源模块:VBPB19R15S适用于工业高功率电源模块,如电焊设备、大型电机驱动器等,提供稳定可靠的高功率输出。
2. 高压直流输电系统:用于高压直流输电系统中的功率开关模块,实现电能的高效输送和转换。
3. 汽车电动化系统:在汽车电动化领域,该器件可用于电动汽车的电机控制器、电池管理系统等,提供高效的电力控制和管理。
4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBPB19R15S可用于将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电,用于家庭和工业用电。
5. 高功率LED照明系统:在高功率LED照明系统中,该器件可用作功率开关元件,用于控制LED灯的亮度和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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