VBPB18R47S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBPB18R47S型号是一款单通道N沟道功率MOSFET，具有800V的漏极-源极电压（VDS）、47A的漏极电流（ID），以及3.5V的阈值电压（Vth）。采用了SJ_Multi-EPI技术，封装为TO3P。该MOSFET适用于高压应用，并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBPB18R47S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：800V
- 门-源电压（VGS）范围：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：90
- 最大漏极电流（ID）：47A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO3P

领域和模块应用：

应用领域举例：
1. 工业电源模块：由于其高压、高电流的特性，VBPB18R47S可用于工业电源模块，提供稳定的电力输出。
2. 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，需要承受较高的电压和电流，VBPB18R47S可作为开关元件，实现充电过程的控制和调节。
3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，需要高效率的功率开关器件，以实现太阳能电能的转换和输出。VBPB18R47S的高电压、高电流特性使其成为适合的选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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