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VBPB17R47S 产品详细

产品简介:

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VBPB17R47S是VBsemi生产的单N沟道场效应晶体管产品。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通状态下的电阻为80mΩ,最大漏极电流(ID)为47A。采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO3P。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBPB17R47S
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门源电压(VGS):30V(±)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通状态下电阻(mΩ):80
- 最大漏极电流(ID):47A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

VBPB17R47S产品适用于以下领域和模块:

1. 高功率应用:由于其较大的最大漏极电流和低导通状态下的电阻,可用于高功率开关模块,如电源开关、电机驱动器等。
2. 工业电子:在工业控制系统中,可用于大功率的工业电机驱动器、逆变器等模块,提高设备的控制精度和能效。
3. 电动汽车充电桩:作为充电桩的功率开关元件,用于控制充电桩的输出功率,实现对电动汽车的快速充电。
4. 太阳能逆变器:用于太阳能光伏系统中的逆变器模块,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供应给电网或家庭用电设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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