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VBPB17R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBPB17R20S是一款单N沟道MOSFET,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO3P,具有高性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):210mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 高压电源模块:VBPB17R20S适用于需要高电压和大电流的开关电源、逆变器和电动汽车充电桩等模块中,提供高效率和可靠性。
2. 工业电机控制:在工业电机驱动器、变频器和电机控制模块中,该器件可用于实现高效率和精确控制的功率开关解决方案。
3. 高功率LED照明:在大功率LED照明系统中,VBPB17R20S可用于驱动高亮度LED灯珠和提供稳定的功率输出。
4. 电动车充电桩:作为电动车充电桩中的功率开关元件,该器件能够提供高效率和可靠性的功率转换,实现快速充电和安全性能。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体设计需求和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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