VBPB17R11S - VBsemi MOS管制造商

VBPB17R11S 产品详细

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产品简介：

产品简介：
VBPB17R11S 是 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 11A 的连续漏极电流（ID），采用 SJ_Multi-EPI 技术，确保在各种环境下的稳定和可靠性。

详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 450 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 11A
- Technology：SJ_Multi-EPI

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产品参数：

参数：Single N
VDS(V)：700
VGS(±V)：30
Vth(V)：3.5
VGS=10V(mΩ)：450
ID (A)：11
Technology：SJ_Multi-EPI
封装：TO3P

领域和模块应用：

应用场景：
VBPB17R11S MOSFET 适用于多个领域和模块，以下是一些示例：
- 电源转换器：适用于各种类型的电源转换器和逆变器，如开关电源、UPS 电源和太阳能逆变器。
- 高压应用：可用于需要高电压和高功率的电路和系统，如工业设备、医疗设备和通信基站。
- 电动汽车：用于电动汽车的电机驱动器、电池管理系统和充电设备。
- 工业自动化：适用于各种工业自动化控制系统和机器人应用，提供稳定的电力输出和可靠的性能。
- 高频应用：可用于高频开关电源和射频（RF）电路，如无线通信和雷达系统。

VBPB17R11S MOSFET 具有高性能和可靠性，适用于多种领域和模块，是工程师们的优选之一。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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