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VBPB16R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBPB16R20S是一款TO3P封装的N沟道场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),20A的漏极电流(ID),30V的门源电压(VGS),3.5V的门阈电压(Vth),以及190mΩ的导通电阻(VGS=10V)。这款产品适用于中低功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为600V,VGS(门源电压)为±30V,Vth(门阈电压)为3.5V。
- 电流参数:ID(漏极电流)为20A。
- 技术特性:采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻:在VGS=10V时为190mΩ。
- 封装:TO3P。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器:适用于中低功率的电源逆变器模块,如家用UPS(不间断电源系统)和太阳能逆变器。
2. 工业控制系统:用于中低功率的工业控制器和执行器,如温度控制器、流量控制器等。
3. 电动工具驱动器:在电动工具中,可用于驱动中功率的电机,如电动钻、电动锤等。
4. LED照明控制器:用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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