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VBPB16R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBPB16R15S是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),3.5V的门限电压(Vth),以及15A的漏极电流(ID)。该产品采用TO3P封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(正负)
- 门限电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):280
- 漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源开关模块:VBPB16R15S的高漏极-源极电压和漏极电流使其非常适合用于高功率电源开关模块,如电力电子转换器和开关电源。
2. 高频逆变器:由于其低导通电阻和高电压能力,该MOSFET可用于高频逆变器中,如太阳能逆变器和变频空调。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于电动汽车的功率逆变器和驱动器,以实现高效的能量转换和电动车辆的动力控制。
4. 工业高压应用:在工业自动化和机械领域,VBPB16R15S可用于高压电源、电机控制和工业电子装置等应用中,以提供可靠的功率开关和电流控制。

这些领域和模块仅是VBPB16R15S可能适用的一些示例,实际应用取决于具体的电路设计和要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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