MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBPB16R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBPB16R11S是一款单N沟道场效应管,适用于各种功率电子应用。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、11A的漏极电流(ID),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO3P,具有良好的散热性能和稳定性。VBPB16R11S作为一款高性能的场效应管,在这些领域中具有广泛的应用前景。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 静态漏极-源极电阻(VGS=10V):380 mΩ
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:

应用举例:
1. 电源管理模块:VBPB16R11S可用于各种电源管理模块中的开关电源、逆变器等部分,提供稳定的电源输出。
2. LED照明驱动:在LED照明产品中,VBPB16R11S可作为LED驱动模块中的开关元件,用于提供稳定的电流输出。
3. 工业电子控制系统:在工业电子控制系统中,VBPB16R11S可用作开关控制器件,实现对各种设备和机器的高效控制。
4. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,VBPB16R11S可用作开关元件,实现对电动汽车的充电控制。
5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBPB16R11S可用于转换太阳能板产生的直流电为交流电,适用于太阳能发电系统中的逆变器部分。

这些领域和模块都需要高性能的功率器件来实现稳定的电源供应和有效的能量转换,VBPB16R11S作为一款高性能的场效应管,在这些领域中具有广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询