MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBPB1204N 产品详细

产品简介:

该产品为单N型晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为48mΩ。最大漏极电流为60A。采用Trench技术,封装为TO3P。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号:VBPB1204N
品牌:VBsemi
参数:
- 晶体管类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):48
- 最大漏极电流(ID):60A
- 技术:Trench
封装:TO3P

领域和模块应用:

**应用简介和示例**:

1. **电源开关模块**:由于VBPB1204N具有较高的额定电压和电流特性,适用于电源开关模块中的功率开关电路。例如,可用于工业UPS、电源逆变器等模块中。

2. **电动汽车充电桩**:该晶体管适用于电动汽车充电桩中的功率开关电路,用于控制充电桩的电源转换和输出,实现对电动汽车的快速充电。

3. **太阳能逆变器**:在太阳能光伏系统中,VBPB1204N可用于太阳能逆变器的功率开关电路,实现太阳能电能的转换和输出。其高电压和电流特性适合于大功率太阳能光伏逆变器的应用。

4. **工业电机驱动器**:由于该晶体管具有较高的最大漏极电流和较低的漏极-源极电阻,适用于工业电机驱动器中的功率开关电路,如变频器、电机控制器等设备的电源管理模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询