VBsemi公司的VBP2205N是一款单通道功率MOSFET，具有以下特性：

该器件的主要参数如下：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为-200V；
- 最大门极-源极电压（VGS）为正负20V；
- 门极阈值电压（Vth）为-3.5V；
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻为55mΩ；
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻为50mΩ；
- 最大漏极电流（ID）为-55A；
- 采用槽道工艺（Trench）制造。

该器件采用TO247封装。