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VBP19R47S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi VBP19R47S是一款Single N型MOSFET,具有高达900V的漏极-源极电压(VDS),47A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有稳定可靠的性能。该产品适用于各种应用场景,为电力电子系统提供可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBP19R47S
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):100
- 漏极电流(ID):47A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:





应用领域和模块举例:
该产品可广泛应用于以下领域和模块:
1. 电力电子领域:用于电力变换器、逆变器和直流-直流转换器等功率电子设备中的功率开关。
2. 工业自动化:用于电机驱动、变频器和工业控制系统中的功率开关控制。
3. 汽车电子:适用于电动汽车、混合动力车辆和车载充电器等汽车电子控制模块。
4. 太阳能和风能转换:用于太阳能逆变器、风力发电控制器和电能储存系统中的功率转换和控制。
5. 通信设备:适用于基站、通信网络设备和数据中心中的功率开关控制模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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