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VBP19R25S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP19R25S是VBsemi推出的单N沟道功率MOSFET,具有优异的性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术,结合先进工艺,保证了其稳定性和高效性。适用于各种功率电路和模块,是电子设备制造商的理想选择。

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产品参数:

详细参数说明:
- 额定电压(VDS):900V
- 栅源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):138
- 最大漏电流(ID):25A

领域和模块应用:


适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBP19R25S的高额定电压和大电流特性使其非常适合用于工业电源模块,如直流稳压电源和开关电源。
2. 电动汽车充电桩:由于其高效率和稳定性,VBP19R25S可用于电动汽车充电桩的功率控制模块,确保安全快速的充电。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBP19R25S可用作开关管,将太阳能板收集的直流电转换为交流电,为家庭和商业应用提供清洁能源。

以上仅为一些示例,VBP19R25S在各种电力电子应用中都有广泛的适用性,并为产品设计提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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