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VBP19R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBP19R20S是一款Single N型场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有高达900V的漏极-源极电压(VDS),并支持最大30V的门极-源极电压(VGS)。此外,它的门极阈值电压(Vth)为3.5V,当VGS为10V时的导通电阻为205mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。该产品封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:

- 型号:VBP19R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N型场效应晶体管
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:205mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 封装:TO247

领域和模块应用:




适用领域和模块:

该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业高压开关电源:由于具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,适用于设计工业高压开关电源和稳压器。
2. 高端电动汽车电机驱动器:在高端电动汽车中,可用于电机驱动模块,实现高功率的电动汽车驱动。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,可用于功率开关模块,将太阳能转换为电能并接入电网。
4. 高性能工业焊接设备:在工业焊接设备中,可用于功率开关模块,提供高功率的焊接能力。

这些只是一些示例,实际上该产品还可能适用于许多其他领域和模块,具体取决于其技术参数和应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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