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VBP19R05S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP19R05S是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO247。该产品具有900V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1500mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为5A,适用于各种工业和电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP19R05S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):900V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1500mΩ
- 额定漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 高压电源模块:由于VBP19R05S具有较高的漏极电压和额定漏极电流,适用于高压电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分,可用于工业控制和电源供应领域。
2. 大功率LED照明:在大功率LED照明系统中,需要承受高电压和电流的功率开关器件,VBP19R05S可用于LED驱动电路中的开关控制,实现LED灯的高效供电和亮度调节。
3. 汽车电动系统:在汽车电动系统中,需要可靠的功率开关器件来实现电机驱动和电池管理,VBP19R05S可用于汽车电动系统中的功率控制和电源管理,帮助实现电动汽车的高效运行和节能减排。
4. 太阳能逆变器:VBP19R05S可用作太阳能光伏逆变器的关键部件,帮助实现太阳能能源的高效转换和接入电网,促进可再生能源的利用和推广。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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