VBP195R09 - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi 的 VBP195R09 是一款单 N 型场效应晶体管，具有 950V 的漏极-源极电压（VDS）、30V 的栅极-源极电压（VGS）、3.3V 的阈值电压（Vth），以及 9A 的漏极电流（ID）。采用 Plannar 技术制造，封装为 TO247。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBP195R09
- 类型：单 N 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：950V
- VGS（栅极-源极电压）：30V
- Vth（阈值电压）：3.3V
- VGS=10V 时的导通电阻：1700 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：9A
- 技术：Plannar
- 封装：TO247

领域和模块应用：

应用示例：
1. 工业电源模块：适用于工业电源的变换和控制。
2. 风能转换系统：用于风力发电设备的功率电子模块。
3. 电动汽车充电器：适用于电动汽车充电桩中的功率转换器。
4. 电网稳定器：用于电网稳定设备中的功率调节模块。
5. 电焊设备：适用于高压电焊机中的功率开关装置。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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