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VBP18R47S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP18R47S型号是一款Single N型的功率场效应晶体管(MOSFET),封装为TO247。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有出色的性能和可靠性。它的主要特点包括额定漏极-源极电压(VDS)为800V,最大漏极电流(ID)为47A,开启电压(Vth)为3.5V,以及在VGS=10V时的导通电阻为90mΩ。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP18R47S
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):800V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 开启电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:90mΩ
- 最大漏极电流(ID):47A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 工业电源模块:由于VBP18R47S具有较高的额定漏极-源极电压和漏极电流,适用于工业电源模块,如交流-直流变换器和直流-直流变换器,可在工业自动化和电力系统中发挥重要作用。
2. 电动汽车充电桩:该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动汽车充电桩中的功率开关,可实现快速、高效的充电过程。
3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,VBP18R47S可用作逆变器的关键部件,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。

这些领域和模块需要使用功率MOSFET来控制电流和电压,而VBP18R47S的性能特点使其成为这些应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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