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VBP18R35S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBP18R35S是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO247。该器件具有高压耐受能力和低导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP18R35S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):110
- 最大漏极电流(ID):35A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBP18R35S的高压耐受能力和低导通电阻使其非常适合用于工业电源模块,如工业电机驱动器、UPS系统等。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBP18R35S可用于实现高效率的直流-交流转换,以提供可再生能源的电力输出。
3. 汽车电子模块:由于其高耐压和高可靠性,该器件可广泛应用于汽车电子模块,如电动汽车电池管理系统、电动助力转向系统等。
4. LED照明控制器:VBP18R35S可以作为LED照明控制器中的功率开关元件,用于实现LED驱动电路的高效能和稳定性。
5. 工业自动化设备:在工业自动化领域,该器件可用于电机控制、电源供应和电力调节等模块中,以提高设备的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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