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VBP18R25SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBP18R25SFD是一款单N沟道功率MOSFET,具有高达800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO247。该MOSFET适用于各种功率电子应用,并提供可靠的性能和高效的能量转换。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP18R25SFD
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):140
- 最大漏极电流(ID):25A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于其高漏极-源极电压和大漏极电流,VBP18R25SFD适用于工业电源模块,如变频器、直流电源和UPS。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBP18R25SFD可用于驱动电动汽车的电机、控制发电机等高功率电子模块。
3. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的功率开关,VBP18R25SFD可以实现太阳能电能的高效转换和输出。
4. 电焊设备:在电焊设备中,该MOSFET可用于控制焊接电流,提高设备的稳定性和效率。
5. 消费电子产品:由于其高性能和可靠性,VBP18R25SFD还可用于消费电子产品中的电源管理和功率控制模块,如电视、音响等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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