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VBP18R25S 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBP18R25S
品牌:VBsemi
封装:TO247
特点:单N沟道场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术,具有800V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),最大持续漏极电流25A(ID),低通态电阻为138mΩ(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏源电压(VDS):800V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 低通态电阻(VGS=10V):138mΩ
- 最大持续漏极电流(ID):25A
- 技术:采用SJ_Multi-EPI技术

领域和模块应用:

产品应用:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业电源模块:由于其高漏源电压和大电流特性,可用于工业电源模块,如直流稳压电源和变频器。
2. 电动车充电器:具有较高的漏源电压和持续漏极电流,适用于电动车充电器模块,提供高效、稳定的充电性能。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器模块,实现太阳能光伏电池板的直流到交流的转换,提供可靠的电能输出。
4. 高压开关电源:由于其高漏源电压和低通态电阻,可用于高压开关电源模块,实现高效、稳定的开关控制。

这些示例说明了VBP18R25S产品在工业、交通、能源等领域的广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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