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VBP18R20SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP18R20SFD是VBsemi公司推出的单N沟道场效应管产品,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO247。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的最大栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、205mΩ的栅极-源极电阻(RDS(on))以及20A的漏极电流(ID)。适用于各种领域和模块的高功率电源、开关和放大电路。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP18R20SFD
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应管
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电阻(RDS(on))(VGS=10V):205mΩ
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

产品适用领域和模块示例:
1. 高功率电源模块:VBP18R20SFD具有800V的漏极-源极电压和20A的漏极电流,适用于各种高功率电源模块,例如用于工业设备、电信基站等,能够提供稳定可靠的高功率输出。
2. 开关电源:由于具有较低的栅极-源极电阻和较高的漏极-源极电压容限,适用于各种高功率开关电源,例如用于变频器、工控系统等,可实现高效的开关控制。
3. 汽车电子模块:在汽车电子领域,VBP18R20SFD可以作为汽车电子模块中的功率开关元件,用于控制汽车电动系统的功率输出和驱动电机等。

综上所述,VBP18R20SFD是一款性能稳定、适用于高功率应用的场效应管产品,可广泛应用于高功率电源、开关电源和汽车电子模块等领域和模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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