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VBP18R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBP18R20S是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO247,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP18R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):220
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:VBP18R20S的高漏极-源极电压和漏极电流使其适用于设计工业电源模块,为工厂设备提供稳定可靠的电力供应。
2. 电动汽车充电桩:由于其高性能和可靠性,可用于电动汽车充电桩中的电源开关模块,实现快速充电和高效能转换。
3. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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