VBP185R10 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBP185R10是VBsemi生产的单N沟道MOSFET，具有850V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）、3.3V的阈值电压（Vth）。采用Plannar技术，封装为TO247。该产品具有高漏极电流和低导通电阻，适用于高功率应用。

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产品参数：

详细参数说明：

- VDS（漏极-源极电压）：850V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：1150mΩ
- 最大漏极电流（ID）：10A
- 技术：Plannar
- 封详细参数说明：

- VDS（漏极-源极电压）：850V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：1150mΩ
- 最大漏极电流（ID）：10A
- 技术：Plannar
- 封装：TO247

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：

1. 工业变频器：由于VBP185R10具有高漏极电压和大电流承受能力，适用于工业变频器中的功率开关和逆变器模块。
2. 高性能电源模块：在高性能电源模块中，该产品可用于开关电源和直流-直流变换器，以提供稳定的电力输出。
3. 风力发电控制器：在风力发电系统中，VBP185R10可用于风力发电控制器中的功率开关和电流控制电路，以确保系统的高效运行。
4. 电力输配设备：适用于电力输配设备中的开关装置和保护电路，以实现电力系统的安全和稳定运行。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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