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VBP185R10 产品详细

产品简介:

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VBP185R10是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.3V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO247。该产品具有高漏极电流和低导通电阻,适用于高功率应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1150mΩ
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:Plannar
- 封详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1150mΩ
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业变频器:由于VBP185R10具有高漏极电压和大电流承受能力,适用于工业变频器中的功率开关和逆变器模块。
2. 高性能电源模块:在高性能电源模块中,该产品可用于开关电源和直流-直流变换器,以提供稳定的电力输出。
3. 风力发电控制器:在风力发电系统中,VBP185R10可用于风力发电控制器中的功率开关和电流控制电路,以确保系统的高效运行。
4. 电力输配设备:适用于电力输配设备中的开关装置和保护电路,以实现电力系统的安全和稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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