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VBP185R07 产品详细

产品简介:

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VBP185R07是VBsemi品牌的单通道N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、7A的漏极电流(ID),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用了Plannar技术,封装为TO247。该产品适用于高压高功率的应用场景,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP185R07
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 工业电源系统:VBP185R07可用于工业电源系统中的开关电源模块,提供稳定的高压电力输出。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要高性能的功率开关器件来实现太阳能电能的转换和输出,VBP185R07可用作逆变器模块的关键元件。
3. 电动汽车充电桩:VBP185R07可用于电动汽车充电桩中,实现对电动汽车的高压高功率充电控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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