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VBP185R06 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP185R06型号是一款Single N型的功率场效应晶体管(MOSFET),封装为TO247。该器件采用Plannar技术制造,具有出色的性能和可靠性。其主要特点包括额定漏极-源极电压(VDS)为850V,最大漏极电流(ID)为6A,开启电压(Vth)为3.5V,以及在VGS=10V时的导通电阻为1700mΩ。

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产品参数:


详细参数说明:
- 产品型号:VBP185R06
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):850V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 开启电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:1700mΩ
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电力变流器:VBP185R06可用于电力变流器中的功率开关电路,如交流调直流、直流调交流等变流器模块,帮助实现电能的高效转换和传输。
2. 电力传输设备:该器件也适用于电力传输设备中的功率控制模块,如变压器、电感等,用于实现电压和电流的调节和稳定。
3. 工业自动化设备:VBP185R06可用于工业自动化设备中的功率开关模块,如PLC、变频器等,用于控制设备的启停和运行状态。

这些领域和模块需要使用功率MOSFET来控制电流和电压,而VBP185R06的性能特点使其成为这些应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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