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VBP185R05 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP185R05是VBsemi推出的一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO247。该产品具有高压耐受能力、低导通电阻和适中的电流容量,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP185R05
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):2200
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBP185R05适用于工业电源模块,如交流变直流模块、直流稳压模块等,用于工厂设备和自动化系统的电源供应。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,该器件可用于实现充电过程中的功率控制和电能转换,确保安全高效的电能传输。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器中的电力转换模块,将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电,供给家庭和工业用电。
4. 电动工具驱动器:在电动工具中,VBP185R05可用作电动机驱动器的功率开关元件,用于控制电动工具的运行和转速。
5. 电焊设备:在工业焊接设备中,该器件可用于控制焊接电流和电压,实现高效稳定的焊接操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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